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    華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產

    作者:時間:2018-10-10來源:收藏

       特色純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司宣布,其第二代微米5V/40V 平臺已成功量產,該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢,對于工業控制應用和DC-DC轉換器等產品是理想的選擇。

    本文引用地址:http://www.09140960.com/article/201810/392717.htm

       第二代微米5V/40V 工藝平臺40V DMOS擊穿電壓達到52V,其導通電阻低至 20 mOhm.mm2達到該節點領先工藝水平,可提高產品的驅動能力,減小芯片面積,擴大高壓管安全工作區(Safe-Operation-Area,SOA),保證產品的高可靠性。該工藝平臺最少光罩層數為18層。該工藝平臺提供豐富的可選擇器件,包括高阻、電容、Zener二極管、肖特基二極管等。此外,該平臺還提供in-house設計的標準單元庫、SRAM編譯器、IOeFuse,從而為電源管理芯片提供完善的設計解決方案。目前,在與國內外多家客戶緊密合作下,公司已完成應用于電機驅動、快充、通訊、安防、DC-DCLDO等多個領域芯片產品的驗證,并成功進入量產。

       以綠色科技為主導,電源管理技術扮演著舉足輕重的地位。華虹半導體已引入全面的電源管理(PMIC工藝方案,在成熟的0.5微米、0.35微米、微米節點上積累了豐富的量產經驗。未來,華虹半導體將繼續發揮在BCDeNVM特色工藝上的技術優勢,提供二者的集成方案,為智能化電源產品,打造高端電源管理系統級芯片(SoC)。

       華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示“華虹半導體一直將電源管理平臺視作工藝研發的重點之一,第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產標志著我們在PMIC領域的核心競爭力再度提升。展望未來,我們還將持續拓展更先進的智能電源管理平臺,為客戶提供差異化技術的競爭優勢。”



    關鍵詞: 0.18 BCD 工藝

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